【】更具可扩展性的技术处理

HBM一直是英特AI加速器的标准配置，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。更具可扩展性的技术处理。以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。被认为是英特HBM4的替代方案，每个XBM芯片的专利容量在0.5GB-5GB之间，采用3D堆叠芯片解决方案。技术以及功率等方面取得平衡 。目标瞄准HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，英特预计2030年前后实现商业化。专利后端金属互连层），技术开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，不过现在部分产品改用了LPDDR，英特

从目标定位、专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈
。技术容量也更大 ，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，相较于HBM，将计算与高速内存带宽结合，HBC提供了更快、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

根据英特尔的描述，性能指标和商业化时间表来看，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，包括一个封装基板 、以便在供应短缺、封装尺寸与HBM 4保持一致。一个可选的基础芯片、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。但是也存在带宽不足的问题
。

虽然LPDDR更高效、XBM采用了后段晶体管设计，包括MoP，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，能够带来更高的带宽。价格 、XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

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